时间：2025/6/6 18:55:51
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STD64N4F6AG是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高压功率MOSFET，属于MDmesh? F6技术系列。该器件采用TO-220封装形式，适用于高电压、大电流的应用场景。它具有低导通电阻和高雪崩能力的特点，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子设备中。
该MOSFET的最大漏源电压为650V，持续漏极电流为4A，具有快速开关速度和优秀的热性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：4A
栅极电荷：31nC
输入电容：1080pF
导通电阻：0.7Ω
结温范围：-55℃至+175℃
STD64N4F6AG具备以下关键特性：
1. 采用先进的MDmesh? F6技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡。
2. 高雪崩能量能力，增强了在过载或短路条件下的鲁棒性。
3. 极低的反向恢复电荷，适合高频开关应用。
4. 符合RoHS标准，环保且安全。
5. 提供优异的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠工作。
6. 快速开关性能减少了开关损耗，提高了系统效率。
这款功率MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. DC/DC转换器
4. 逆变器和不间断电源（UPS）
5. 照明镇流器
6. 充电器和适配器
其高电压和大电流处理能力使其成为许多高功率应用的理想选择。
STD64N4F5AG, STD64N4F5XG
