STD5NK50Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的 N 沆道硅功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于多种开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220,能够提供较高的电流承载能力和良好的散热性能,同时其耐压能力达到 500V,可满足高压环境下的使用需求。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:5A
导通电阻:1.4Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:18nC(典型值)
输入电容:1370pF(典型值)
反向恢复时间:60ns(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
STD5NK50Z 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,适合用于高压电路设计。
2. 低导通电阻设计,降低了功率损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频应用。
4. 提供良好的热稳定性和可靠性,确保在高温环境下长期运行。
5. 封装采用标准 TO-220,便于安装和散热处理。
6. 支持大电流输出,适用于驱动高负载的应用场景。
STD5NK50Z 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,包括降压和升压电路。
3. 电机驱动控制,例如家用电器中的风扇或水泵。
4. 工业设备中的高压开关应用。
5. 照明系统,如 LED 驱动电路。
6. 各类电池管理系统中的开关元件。
IRF540N
STP5NK50Z
FQP50N50