STD5NK40ZT4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和高功率的应用场景。该器件采用先进的SuperMESH技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压的特点,适用于电源转换、DC-DC变换器、负载开关和电机控制等领域。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):400V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
导通电阻(Rds(on)):典型值1.2Ω
STD5NK40ZT4采用了SuperMESH技术,这是一种优化的平面MOSFET结构,具有更低的导通电阻和更高的能效。这种技术显著减少了开关损耗,使器件在高频操作中表现更佳。此外,该MOSFET具备优异的热稳定性和高雪崩耐量,从而确保在极端工作条件下的可靠性。
该器件的栅极驱动设计简化了电路设计,降低了驱动电路的复杂性。其高栅极阈值电压(Vgs(th))提供了更好的抗干扰能力,同时降低了误触发的可能性。此外,该MOSFET具有较低的漏极-源极饱和电压(Vds(sat)),在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。
STD5NK40ZT4还集成了快速恢复二极管(通常为体二极管),可以在反向电流流过时迅速恢复,进一步优化了系统性能。这种特性在DC-DC转换器和同步整流器中尤为重要。此外,其TO-220封装具有良好的散热性能,确保在高功率应用中的稳定性。
该器件广泛应用于各种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、充电器和逆变器等。在电源管理系统中,它常用于高侧或低侧开关,实现对负载的高效控制。此外,它也可用于LED照明驱动电路,提供稳定的电流控制。
在工业自动化和控制系统中,STD5NK40ZT4可用于电机控制和继电器替代方案,提高系统响应速度并减少能耗。在消费电子产品中,该MOSFET可用于电源管理模块,优化电池供电设备的能效。
由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电子助力转向系统(EPS)以及车载逆变器等应用。
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