时间：2025/7/23 12:56:19
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STD5N62K3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性以及低导通电阻的应用场景，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器以及负载开关等应用中。该MOSFET采用先进的技术，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适用于中高功率电子系统。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：620V
连续漏极电流（ID）@25°C：5A
导通电阻（RDS(on)）：最大1.8Ω（典型值为1.4Ω）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、D2PAK、I2PAK等
漏极电流峰值（IDM）：20A
功率耗散（PD）：50W
雪崩能量（EAS）：150mJ
STD5N62K3具有多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备高雪崩能量承受能力，使其在突发电压冲击下仍能保持稳定工作，增强了系统的可靠性。该MOSFET采用先进的工艺制造，具有良好的热管理和抗热失效能力，在高负载条件下仍能维持较低的温度上升。其栅极驱动设计优化，能够减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关应用。此外，STD5N62K3还具有良好的短路耐受能力和过温保护特性，进一步提升了器件在严苛环境下的稳定性。
该MOSFET广泛应用于多种电力电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。此外，它也可用于负载开关、热插拔电源控制和高电压缓冲电路等场景。
STF5N62K3、STD5N65K3、STD6N62K3
