STD5N60M2 时间：2025/7/23 1:21:54 阅读：6

STD5N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、中等功率的应用。这款MOSFET具备较高的电压和电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、照明系统以及工业自动化设备等场景。其封装形式通常为TO-220或D2PAK，方便在高功率条件下进行散热处理。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：4.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω @Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

特性

STD5N60M2 具备多项优异的电气和热性能。首先，它的漏源电压高达600V，能够满足高压应用的需求，如开关电源和工业控制系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，在Vgs=10V时仅为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，该器件具有良好的热稳定性，其封装设计支持高效的热量散发，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗，提高电源效率。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得其在与微控制器或驱动电路配合使用时更加便捷。此外，器件内部集成了保护功能，如过热保护和短路保护，提升了系统可靠性。
　　在制造工艺方面，STD5N60M2 采用先进的高压MOSFET技术，优化了电场分布，提高了器件的耐用性和稳定性。同时，其符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品设计。

应用

STD5N60M2 广泛应用于多种电力电子系统中。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动器）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备高压承受能力和良好的热管理性能，该器件特别适合在需要高可靠性和稳定性的环境中使用，例如工业电机控制、太阳能逆变器和电源适配器等。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、电能质量控制设备和智能电表等现代能源管理系统。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效并减少能量损耗。