时间：2025/7/23 10:26:48
阅读：5
STD4NK60Z-1 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种高电压应用中。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率和高功率密度的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大栅极电压（VGSS）：±30V
最大漏极电流（ID）：4.4A
导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
STD4NK60Z-1 的核心优势在于其优化的导通电阻与开关损耗之间的平衡。该器件采用了ST的SuperMESH技术，这是一种优化的平面MOSFET制造工艺，能够在高电压下实现非常低的RDS(on)，从而减少导通损耗并提高能效。其600V的漏极电压额定值使其适用于大多数AC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路以及工业电机驱动系统。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下也能稳定运行。其热阻低，能够有效散热，提高系统可靠性。TO-220封装形式也便于安装在标准散热片上，适用于中高功率应用。
该器件的栅极驱动特性也较为友好，能够兼容常见的12V和15V栅极驱动电路，确保在各种控制策略下都能实现良好的导通与关断性能。
STD4NK60Z-1 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、离线电源适配器、LED照明驱动器、DC-DC转换器、工业电机控制、电池充电器、UPS系统以及各种高电压高效率转换电路。其高耐压能力和低导通电阻使其在需要高效率和高可靠性的电源设计中表现出色。
STD5NK60ZD-1, STF4NK60Z-1, IRFBC40
