时间：2025/7/22 21:03:31
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STD46N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET? F7技术制造。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于汽车电子、工业电机控制、电源转换以及节能照明等需要高可靠性和高效率的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：46A
最大漏源电压（Vds）：60V
导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK、TO-220、PowerSSO-36
STD46N6F7采用了STMicroelectronics最新的StripFET? F7技术，显著降低了导通电阻并提高了开关性能，从而减少了功率损耗。该MOSFET具有较低的导通损耗和开关损耗，能够在高频工作条件下保持高效率。此外，其先进的封装技术提供了优异的散热性能，确保器件在高负载条件下依然能够稳定运行。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动设计优化，减少了驱动损耗，使其适用于各种高频率开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动电路等。
由于其优异的热管理性能和紧凑的封装设计，STD46N6F7在空间受限的应用中也表现出色。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计。
STD46N6F7广泛应用于多个领域，包括但不限于：汽车电子系统中的电动助力转向、电池管理系统和DC-DC转换器；工业电机控制和伺服驱动器；太阳能逆变器和储能系统；LED照明和智能照明控制；以及高性能电源管理设备。其高效率和高可靠性的特点使其成为众多高功率密度应用的理想选择。
IPW60R017C7, FDP46N60NZ, STP46N6F7
