时间：2025/7/22 13:33:25
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STD3NM60T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术，具备低导通电阻和高效率的特性。该器件主要面向需要高效能与小型化设计的应用，如电源转换、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关等。其封装形式为TO-220AB，便于散热并适合高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω（@VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V（@ID=250μA）
最大功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220AB
STD3NM60T4 采用ST先进的StripFET?技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其低RDS(on)特性使其非常适合用于高效率的功率开关应用。
该MOSFET具有较高的击穿电压能力（600V），能够在高压环境下稳定工作，适用于多种工业和消费类电子产品。
此外，该器件的封装设计（TO-220AB）提供了良好的热管理能力，确保在较高电流负载下仍能保持稳定运行。
其栅极驱动特性相对温和，可在常见的驱动电路中直接使用，无需复杂的驱动设计，提高了设计的灵活性和可靠性。
由于其具备较高的热稳定性和短路耐受能力，该器件在电源管理系统、电机控制、照明系统等应用中表现出色。
STD3NM60T4 广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、照明控制系统、工业自动化设备、电机驱动电路以及智能电表等。由于其高压能力和良好的导通性能，该MOSFET也常用于家电中的电源管理模块。
STP3NK60ZT4, STD3NK60VT4, STD3NM60N, STD3NM60T4G
