类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：4A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.0Ω
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　封装类型：TO-220

FCP4N80 MOSFET具有多种优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该器件的最大漏源电压为800V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换和控制电路。其次，其漏极电流额定值为4A，足以满足中等功率应用的需求。此外，FCP4N80的导通电阻较低，典型值为2.0Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合高功率密度的设计。
　　FCP4N80还具有较高的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境。其栅极阈值电压范围为2V至4V，兼容常见的驱动电路，便于设计和集成。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，减少了开关损耗，从而提高了整体系统的能效。
　　在可靠性方面，FCP4N80采用了先进的制造工艺和材料，确保了其在高电压和高电流条件下的长期稳定性。该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护功能，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。

FCP4N80 MOSFET因其优异的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。首先，它常用于DC-DC转换器中，作为高侧或低侧开关，实现高效的电压转换。其次，在电源管理系统中，FCP4N80可用于电源开关，实现对负载的快速控制。此外，该器件也适用于马达控制电路，作为驱动马达的功率开关，提供稳定的电流控制。
　　FCP4N80还可用于电池充电器中，作为充电电流的控制元件，确保电池安全高效地充电。在照明系统中，该MOSFET可用于LED驱动电路，提供恒定的电流输出，确保LED的亮度和寿命。此外，FCP4N80也适用于工业自动化设备和消费电子产品中的功率控制电路。

IRF840, FQA4N80C