时间：2025/7/22 5:18:17
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STD3NM50T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术，具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-220AB封装，适合需要高可靠性和紧凑设计的场合。其主要目标市场包括电源适配器、电机控制器、DC/DC转换器以及工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：3A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大2.5Ω
功率耗散（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
STD3NM50T4具有多项先进的电气和物理特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其漏源电压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源应用。其次，该器件的导通电阻最大为2.5Ω，在同类产品中表现出色，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其TO-220AB封装设计不仅有助于快速散热，还便于在PCB上安装和焊接，适合大规模生产和自动化装配。栅源电压范围为±20V，确保在各种驱动条件下器件的稳定性和安全性。
STD3NM50T4还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统响应速度。其短路耐受能力也较强，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子设备。
该MOSFET广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路以及各种工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于电源适配器和充电器设计。此外，STD3NM50T4还可用于逆变器、不间断电源（UPS）及智能电表等需要高效功率管理的场合。
STD3NM50T4G、STP3NM50T4、STD3NK50Z、STD3NM50K、STD3NM50T4AG
