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STD3NK80ZT4 发布时间 时间:2025/6/4 9:35:10 查看 阅读:6

STD3NK80ZT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于功率转换、电机驱动、电源管理和负载开关等场景。其设计优化了导通电阻和开关性能,能够在高频和高效率的应用中表现出色。
  STD3NK80ZT4 采用了先进的沟槽式结构技术,确保低导通电阻的同时,还保持了良好的热特性和电气稳定性。此外,该器件具有较高的雪崩击穿能力,增强了系统的鲁棒性。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:57nC
  总电容:1420pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

STD3NK80ZT4 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 采用沟槽式 MOSFET 技术,具备出色的开关性能。
  4. 较高的雪崩击穿能量 (EAS),提高了器件在异常条件下的耐受能力。
  5. 工作温度范围宽广,适用于各种恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  这些特性使得 STD3NK80ZT4 在需要高性能和高可靠性的应用场合中表现优异。

应用

STD3NK80ZT4 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动,特别是需要高效率和高电流能力的场景。
  3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力电子设备。
  由于其卓越的性能,这款 MOSFET 也常用于汽车电子领域,例如电动助力转向系统和制动控制系统。

替代型号

STD3NK60Z, IRFB3207, FDP15N65C

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STD3NK80ZT4参数

  • 其它有关文件STD3NK80Z View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds485pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7968-6