时间：2025/6/4 9:35:10
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STD3NK80ZT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于功率转换、电机驱动、电源管理和负载开关等场景。其设计优化了导通电阻和开关性能，能够在高频和高效率的应用中表现出色。
STD3NK80ZT4 采用了先进的沟槽式结构技术，确保低导通电阻的同时，还保持了良好的热特性和电气稳定性。此外，该器件具有较高的雪崩击穿能力，增强了系统的鲁棒性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：39A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：57nC
总电容：1420pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
STD3NK80ZT4 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 采用沟槽式 MOSFET 技术，具备出色的开关性能。
4. 较高的雪崩击穿能量 (EAS)，提高了器件在异常条件下的耐受能力。
5. 工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使得 STD3NK80ZT4 在需要高性能和高可靠性的应用场合中表现优异。
STD3NK80ZT4 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，特别是需要高效率和高电流能力的场景。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力电子设备。
由于其卓越的性能，这款 MOSFET 也常用于汽车电子领域，例如电动助力转向系统和制动控制系统。
STD3NK60Z, IRFB3207, FDP15N65C
