FZ-1615UYOUBGC20A06 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
此芯片专为需要高效能与快速切换的应用而设计,适用于各种工业和消费类电子设备中。
型号:FZ-1615UYOUBGC20A06
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):180W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3L
FZ-1615UYOUBGC20A06 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 强大的电流承载能力,能够支持高达40A的连续漏极电流。
4. 较宽的工作温度范围 (-55℃至+175℃),适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 提供优异的热性能表现,确保长时间稳定运行。
6. 具备较高的抗雪崩能力,增强了产品的鲁棒性。
该芯片可广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 直流无刷电机(BLDC)驱动电路。
3. 工业自动化控制设备中的功率转换模块。
4. 汽车电子系统中的负载切换功能。
5. LED照明驱动器的核心功率处理单元。
6. 其他需要大电流、低损耗的功率管理场景。
FZ-1615UYOUBGC20A05
FZ-1615UYOUBGC20A07