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STD3NK60Z-1 发布时间 时间:2025/5/12 17:33:16 查看 阅读:7

STD3NK60Z-1 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道通态晶体管,属于 PowerMOS 系列。该器件采用 TO-220FP 封装形式,适用于高频开关应用和功率转换电路。
  这款 MOSFET 具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点,适合在各种电源管理场景中使用。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:3A
  导通电阻:5.8Ω
  栅极电荷:25nC
  总耗散功率:14W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

STD3NK60Z-1 是一款高性能的 N 枋功率 MOSFET,具有以下特点:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 600V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 5.8Ω,有助于降低传导损耗。
  3. 快速开关特性:具备较低的栅极电荷和输入电容,支持高频操作。
  4. 强大的散热设计:通过优化的封装结构,可以有效散发热量,提高系统的可靠性。
  5. 广泛的工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境下稳定运行,适应多种工业环境。

应用

STD3NK60Z-1 主要应用于需要高效功率转换和控制的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于 AC/DC 或 DC/DC 转换器中,实现高效的电压调节。
  2. 电机驱动:为无刷直流电机或其他类型的电机提供精确的功率控制。
  3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器中的功率级组件。
  4. LED 照明系统:用于恒流或恒压驱动电路以确保灯光亮度的一致性。
  5. 太阳能逆变器:作为功率开关元件参与能量转换过程。

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STD3NK60Z-1参数

  • 其它有关文件STD3NK60Z-1 View All Specifications
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds311pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件