时间：2025/5/7 10:16:36
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IPB120N04S4-02是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK) 封装形式。这款器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景，适合对效率和性能要求较高的应用场合。该MOSFET以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及出色的热稳定性而著称。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：39nC
总电容：208pF
功耗：72W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPB120N04S4-02具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可以显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，能够减少开关损耗，特别适合高频电路。
4. 采用TO-252封装，具备良好的散热性能，便于安装与焊接。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
IPB120N04S4-02广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，例如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，包括降压或升压拓扑结构。
3. 电动工具中的电机控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)及逆变器设计。
IPB150N04S4L-02, IRF3205, AO3400
