型号: STD3NB50T4
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 3A
　　最大漏-源电压（VDS）: 500V
　　导通电阻（RDS(on)）: 2.5Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）: 18nC
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-220
　　型号: FQD3N65C
　　类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 3A
　　最大漏-源电压（VDS）: 650V
　　导通电阻（RDS(on)）: 2.2Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）: 21nC
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-252（DPAK）

STD3NB50T4具有高耐压能力（500V），适合于需要较高电压隔离的电源应用。其导通电阻较低，在开关过程中能够有效降低导通损耗。此外，该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于中等功率的应用场景。
　　FQD3N65C的最大漏-源电压更高（650V），适合于高压应用，例如开关电源中的主开关器件。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有较小的体积和良好的热管理能力，适合于高密度PCB设计。其较低的导通电阻和合理的栅极电荷值使其在高频开关应用中表现良好，有助于提高系统效率并减少能量损耗。
　　两种器件都具备良好的热稳定性和过载能力，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。它们的设计均考虑了EMI（电磁干扰）控制和热保护机制，以确保在复杂电磁环境中的稳定运行。

STD3NB50T4和FQD3N65C广泛应用于多种功率电子系统中。STD3NB50T4适用于开关电源、LED驱动、DC-DC转换器以及马达控制电路，尤其是在需要500V耐压的场合。FQD3N65C则更适合于高压应用，例如AC-DC转换器、电源适配器、工业自动化设备中的开关元件以及逆变器系统。
　　由于其优异的电气特性和封装优势，这两种MOSFET也常用于电池管理系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和车载电子系统。在设计中，工程师可以根据具体需求选择适合的器件，以实现最佳的性能和成本平衡。

STD3NB50T4: 可选用STP3NB50T4、FQP3N50C、IRF840等；
　　FQD3N65C: 可选用FQP3N65C、STD3N65M5、SIHP3N65CF等。