时间：2025/7/22 8:19:06
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STD3NB50是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等高功率电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点，适用于中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：3A（在Tc=100℃）
脉冲漏极电流（Idm）：12A
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220、D2PAK等
STD3NB50具备多项优良特性，确保其在复杂工况下稳定运行。首先，其漏源电压高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在2.5Ω以下，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，支持长时间连续工作，且在高温环境下仍能保持良好的性能。其栅极驱动电压范围适中，便于与常见的控制电路（如PWM控制器）配合使用。同时，该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了器件的可靠性与耐用性。
在封装方面，STD3NB50通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式，便于散热和安装，适用于多种电路设计。该器件的封装材料符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
STD3NB50广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、逆变器、电机驱动电路、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及照明设备。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，该MOSFET在这些应用中能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
STD4NB50、STP3NK50Z、IRF840、FQP12N50C
