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STD3NB50 发布时间 时间:2025/7/22 8:19:06 查看 阅读:6

STD3NB50是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等高功率电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点,适用于中高功率应用场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):3A(在Tc=100℃)
  脉冲漏极电流(Idm):12A
  导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STD3NB50具备多项优良特性,确保其在复杂工况下稳定运行。首先,其漏源电压高达500V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用环境。其次,该MOSFET的导通电阻较低,通常在2.5Ω以下,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的热稳定性,支持长时间连续工作,且在高温环境下仍能保持良好的性能。其栅极驱动电压范围适中,便于与常见的控制电路(如PWM控制器)配合使用。同时,该MOSFET具备良好的雪崩击穿耐受能力,增强了器件的可靠性与耐用性。
  在封装方面,STD3NB50通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式,便于散热和安装,适用于多种电路设计。该器件的封装材料符合RoHS环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。

应用

STD3NB50广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC变换器、逆变器、电机驱动电路、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及照明设备。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,该MOSFET在这些应用中能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。

替代型号

STD4NB50、STP3NK50Z、IRF840、FQP12N50C

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STD3NB50参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)2.8 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 下降时间5 ns
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散50 W
  • 上升时间8 ns
  • 工厂包装数量3000