时间：2025/12/25 5:40:32
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FDM47-06KC5是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET。该器件适用于多种高功率开关应用，具有优异的热稳定性和低导通电阻特性，广泛用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FDM47-06KC5具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻仅为5.2mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率耗散。
此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式为TO-252（DPAK），有助于提高散热效率，并且易于集成到PCB设计中。
该器件还具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下的可靠性和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V之间的驱动电压，兼容多种驱动电路设计。
由于其高性能和可靠性，FDM47-06KC5适用于多种高要求的应用场景，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路以及负载开关等。
FDM47-06KC5主要应用于电源管理系统、工业自动化控制、电动汽车充电模块、光伏逆变器以及高性能电源适配器等场景。其高效的功率处理能力和稳定的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的关键组件。
FDMS4706、FDD4706、IRFZ48N、Si4410BDY、NTMFS4C06N
