时间：2025/5/8 18:50:11
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STD3N80K5是一种N沟道功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。这种MOSFET因其高效的开关特性和耐用性，在工业及消费电子领域中广泛使用。
STD3N80K5的主要特点是其额定电压为800V，能够承受较高的漏源电压，同时具备快速的开关速度，从而减少开关损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：7.9Ω
栅极电荷：25nC
总功耗：16W
工作结温范围：-55℃至+150℃
STD3N80K5采用了先进的功率MOSFET技术，提供以下主要特性：
1. 高耐压能力，最高可达800V，适用于高压电路环境。
2. 较低的导通电阻（典型值为7.9Ω），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能，使得它在高频开关应用中表现出色。
4. TO-220封装形式便于散热管理，确保在高温环境下稳定运行。
5. 工作温度范围广，支持从-55℃到+150℃的极端温度条件，适合多种工业场景。
STD3N80K5被广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关管。
3. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换和保护电路中的关键组件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率处理模块。
IRF840,
FDP066N08,
STP3NB80Z
