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STD35NF06 发布时间 时间:2025/6/3 15:01:05 查看 阅读:8

STD35NF06 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-220,适用于多种工业和消费类电子应用,如电机驱动、电源管理、负载开关等。
  STD35NF06 的额定电压为 60V,连续漏极电流高达 35A,能够满足高功率密度设计需求。其优化的电气性能使其在效率和热管理方面表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻(典型值):9mΩ
  栅极电荷:17nC
  总电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220

特性

STD35NF06 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 9mΩ,有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,从而减少开关损耗。
  3. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  4. 增强型雪崩击穿能力和短路耐受能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
  5. 可靠的热性能,具备较低的热阻,便于散热设计。
  6. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),适合恶劣环境下的应用。

应用

STD35NF06 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. 直流/直流转换器及降压/升压转换器。
  3. 工业电机控制和驱动电路。
  4. 太阳能逆变器中作为功率开关元件。
  5. 汽车电子设备中的负载切换和保护电路。
  6. 各种需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

STD36NF06L, IRFZ44N, FDP020N06S

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