时间：2025/9/13 6:30:00
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RP2402GE 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。该器件采用高性能硅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合需要高效能和紧凑设计的电子设备。RP2402GE 采用 SOP（Small Outline Package）封装形式，便于表面贴装，适用于自动化生产和小型化设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：4 A
最大漏极-源极电压（Vds）：30 V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：32 mΩ（典型值）@ Vgs = 10 V
栅极电荷（Qg）：11 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP-8
RP2402GE 具备多项优良特性，使其在功率 MOSFET 领域具有较高的竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。在 10 V 栅极电压下，Rds(on) 仅为 32 mΩ，适合用于高电流应用场景。其次，该 MOSFET 具备高耐压特性，漏极-源极电压最大可达 30 V，能够满足多种电源转换需求。
此外，RP2402GE 采用 SOP-8 封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。该器件的栅极电荷（Qg）为 11 nC，响应速度快，适用于高频开关应用。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持 10 V 至 20 V 的工作电压，增强了与不同驱动电路的兼容性。
RP2402GE 主要应用于各种中低功率电源管理系统和电子设备中。其高效率和低导通电阻特性使其广泛用于 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器和电池管理系统中。在电机控制和负载开关电路中，该器件能够实现快速开关和低功耗控制，提高整体系统效率。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6675
