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STD30NF06L 发布时间 时间:2025/6/20 22:13:25 查看 阅读:5

STD30NF06L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产。这款器件采用 TO-220FP 封装,适用于多种开关和功率转换应用。该 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于直流电机驱动、电源开关、负载切换等场景。
  其设计旨在优化效率和散热性能,能够承受较高的电流和电压。由于其较低的导通损耗和高开关速度,这款 MOSFET 广泛应用于工业设备、消费类电子产品以及汽车电子领域。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):148W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

STD30NF06L 的主要特点是其具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,它还具备以下特性:
  1. 快速开关能力,支持高频操作。
  2. 高雪崩击穿能量耐受性,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  3. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  4. 内部采用了先进的制造工艺,确保了产品的高性能和一致性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  这些特点使 STD30NF06L 成为需要高效能和高可靠性的应用的理想选择。

应用

STD30NF06L 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流电机控制与驱动电路。
  3. 各种负载切换应用。
  4. 电池管理系统中的保护开关。
  5. 汽车电子中的逆变器和转换器。
  6. 工业自动化设备中的功率调节器。
  其出色的电气特性和机械稳定性使得该器件在上述应用场景中表现出色。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP150AN
  IXFN30N06P

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STD30NF06L参数

  • 现有数量2,409现货
  • 价格1 : ¥7.39000剪切带(CT)2,500 : ¥3.15255卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1562 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)55W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63