STD30NF04LT是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。
该MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:15mΩ
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃至+150℃
STD30NF04LT具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关性能,能够有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
5. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
这些特性使得该MOSFET非常适合用于要求高效率和可靠性的应用环境。
STD30NF04LT适用于多种电力电子应用场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 各类工业控制和汽车电子系统
其高性能和稳定性使其成为许多功率管理应用的理想选择。
IRFZ44N, STP30NF06L