您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STD30NF04LT

STD30NF04LT 发布时间 时间:2025/5/22 12:30:43 查看 阅读:3

STD30NF04LT是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。
  该MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:15mΩ
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

STD30NF04LT具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关性能,能够有效降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  5. TO-220封装形式便于安装和散热设计。
  这些特性使得该MOSFET非常适合用于要求高效率和可靠性的应用环境。

应用

STD30NF04LT适用于多种电力电子应用场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载开关
  5. 电池保护电路
  6. 各类工业控制和汽车电子系统
  其高性能和稳定性使其成为许多功率管理应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, STP30NF06L

STD30NF04LT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STD30NF04LT参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)