齐纳电压 Vz：2.2V（@ Iz = 5mA）
　　齐纳电流 Iz：最大 150mA
　　耗散功率 Pd：最大 200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOD-882
　　极性：单向齐纳二极管

MM1Z2V2BW 齐纳二极管具有出色的电压稳定性，能够在负载变化或输入电压波动的情况下保持输出电压的恒定。其低齐纳电压（2.2V）适用于低电压电路中的参考电压源或电压钳位保护。该器件采用 SOD-882 表面贴装封装，具有较小的 PCB 占用面积，适合自动化生产和高密度布局。此外，其最大耗散功率为 200mW，可以在有限的散热条件下稳定工作。由于其良好的温度稳定性和可靠性，MM1Z2V2BW 常用于便携式电子设备、电池供电系统、传感器电路和微控制器外围电路中。
　　在电气特性方面，MM1Z2V2BW 的齐纳电流范围较宽，从 1mA 到 150mA 都能保持良好的电压调节性能，这使得它能够适应多种应用场景。此外，该器件的响应速度快，可以有效抑制瞬态电压冲击，防止敏感电路受到损坏。其低动态电阻也保证了在不同电流下的电压波动较小，从而提高了电路的稳定性。
　　机械和封装方面，SOD-882 封装不仅体积小，而且具有良好的焊接性能和机械强度，适合在恶劣环境中使用。同时，该封装具备良好的热传导能力，有助于提高器件的长期稳定性。

MM1Z2V2BW 主要用于以下电路设计：低电压调节电路中的基准电压源、电池管理系统中的电压监测电路、微处理器或 DSP 的 I/O 电压保护电路、传感器信号调理电路中的参考电压提供、以及便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的稳压与保护电路。此外，该器件也可用于电源管理模块、电压检测电路和 ESD 保护电路中。

MM3Z2V2T1G, BZT52C2V2, MAZS2V2T1G