STD2NK90Z-1 时间：2025/7/22 21:02:56 阅读：12

STD2NK90Z-1 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET? F7技术制造，旨在提供卓越的导通和开关性能，适用于需要高效功率管理的应用。该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的热性能，适合在各种功率转换器、开关电源和电机控制应用中使用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：2.3A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STD2NK90Z-1具有多项卓越的电气和热性能特点。首先，其高耐压能力（900V Vds）使其非常适合用于高电压应用，如电源转换器和工业控制系统。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，采用TO-220封装可以有效散热，保证在高负载条件下的可靠运行。其增强型设计使得栅极驱动简单，适用于多种开关电路。另外，该器件的抗雪崩能力较强，能够在瞬态条件下提供更高的鲁棒性，从而延长使用寿命并减少故障率。
　　在开关性能方面，STD2NK90Z-1优化了开关损耗，使其在高频操作中表现良好，适用于各种电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式变换器。此外，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。这些特性使其成为高可靠性电源系统和工业控制设备的理想选择。

应用

STD2NK90Z-1 主要应用于高电压、中等功率的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制器、工业自动化设备以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压和良好的导通特性，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的应用，如电信电源系统、消费类电子产品电源适配器以及工业电机控制电路。此外，该MOSFET还可用于电池充电器、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器等应用，以提高整体系统的能效和稳定性。