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STD2NK90Z-1 发布时间 时间:2025/7/22 21:02:56 查看 阅读:6

STD2NK90Z-1 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET? F7技术制造,旨在提供卓越的导通和开关性能,适用于需要高效功率管理的应用。该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的热性能,适合在各种功率转换器、开关电源和电机控制应用中使用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):900V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id):2.3A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

STD2NK90Z-1具有多项卓越的电气和热性能特点。首先,其高耐压能力(900V Vds)使其非常适合用于高电压应用,如电源转换器和工业控制系统。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的低功耗,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,采用TO-220封装可以有效散热,保证在高负载条件下的可靠运行。其增强型设计使得栅极驱动简单,适用于多种开关电路。另外,该器件的抗雪崩能力较强,能够在瞬态条件下提供更高的鲁棒性,从而延长使用寿命并减少故障率。
  在开关性能方面,STD2NK90Z-1优化了开关损耗,使其在高频操作中表现良好,适用于各种电源拓扑结构,如反激式、正激式和半桥式变换器。此外,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护。这些特性使其成为高可靠性电源系统和工业控制设备的理想选择。

应用

STD2NK90Z-1 主要应用于高电压、中等功率的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机控制器、工业自动化设备以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压和良好的导通特性,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的应用,如电信电源系统、消费类电子产品电源适配器以及工业电机控制电路。此外,该MOSFET还可用于电池充电器、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等应用,以提高整体系统的能效和稳定性。

替代型号

STP2NK90Z-1, STW2NK90Z-1

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STD2NK90Z-1参数

  • 其它有关文件STD2NK90Z-1 View All Specifications
  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 欧姆 @ 1.05A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds485pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称497-12784-5STD2NK90Z-1-ND