STD2NK90Z-1 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET? F7技术制造,旨在提供卓越的导通和开关性能,适用于需要高效功率管理的应用。该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的热性能,适合在各种功率转换器、开关电源和电机控制应用中使用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):2.3A(连续)
导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
STD2NK90Z-1具有多项卓越的电气和热性能特点。首先,其高耐压能力(900V Vds)使其非常适合用于高电压应用,如电源转换器和工业控制系统。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的低功耗,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,采用TO-220封装可以有效散热,保证在高负载条件下的可靠运行。其增强型设计使得栅极驱动简单,适用于多种开关电路。另外,该器件的抗雪崩能力较强,能够在瞬态条件下提供更高的鲁棒性,从而延长使用寿命并减少故障率。
在开关性能方面,STD2NK90Z-1优化了开关损耗,使其在高频操作中表现良好,适用于各种电源拓扑结构,如反激式、正激式和半桥式变换器。此外,该MOSFET具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供额外的保护。这些特性使其成为高可靠性电源系统和工业控制设备的理想选择。
STD2NK90Z-1 主要应用于高电压、中等功率的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机控制器、工业自动化设备以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压和良好的导通特性,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的应用,如电信电源系统、消费类电子产品电源适配器以及工业电机控制电路。此外,该MOSFET还可用于电池充电器、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等应用,以提高整体系统的能效和稳定性。
STP2NK90Z-1, STW2NK90Z-1