时间：2025/8/13 14:44:51
阅读：17
LMUN5130DW1T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极性晶体管（BJT），属于数字晶体管（Digital Transistor）类别。该器件集成了一个NPN晶体管和一个内部基极-发射极电阻网络，使其特别适用于需要开关操作的数字电路应用。由于其内部集成的电阻器，LMUN5130DW1T1G可以简化电路设计，减少外部元件数量，并提高整体电路的可靠性。该器件采用SOT-363封装，适用于便携式设备和空间受限的应用。
类型：NPN数字晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-363
基极-发射极电阻：10kΩ（典型值）
频率响应：100MHz（最大值）
增益带宽积（fT）：250MHz（最小值）
LMUN5130DW1T1G具有多项优异的电气和物理特性。首先，其内部集成的基极-发射极电阻（通常为10kΩ）简化了电路设计，使得在数字开关应用中无需额外的偏置电阻。其次，该晶体管具有较高的频率响应，最大可达100MHz，适合高频开关应用。此外，其增益带宽积（fT）为250MHz，确保了良好的放大性能。器件的最大集电极电流为100mA，能够驱动中等功率负载。LMUN5130DW1T1G的封装为SOT-363，具有较小的尺寸和良好的热性能，适合高密度PCB布局。该器件的功耗为200mW，在工作温度范围-55°C至+150°C内均可稳定运行，适用于广泛的工业和消费类应用。此外，其存储温度范围也为-55°C至+150°C，保证了在极端环境下的可靠性。
LMUN5130DW1T1G广泛应用于需要高效开关控制的电子设备中。常见的应用场景包括逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制、马达控制、电源管理电路以及各种数字开关电路。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该晶体管可用于控制显示屏背光、音频放大器、传感器接口等模块。由于其高频率响应和紧凑的封装，LMUN5130DW1T1G也非常适合用于射频（RF）前端模块中的开关电路。此外，该器件还可用于工业控制系统中的继电器驱动、传感器信号处理以及通信设备中的数据路由和信号放大功能。
BC847B, 2N3904, MMBT3904, FMMT491, LMUN5131DW1T1G
