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STD2NB60T4 发布时间 时间:2025/5/27 16:11:21 查看 阅读:12

STD2NB60T4是一种由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压MOSFET晶体管,属于STPOWER系列。该器件采用N沟道增强型结构,专为高频开关应用设计。其高击穿电压和低导通电阻的特性使其在功率转换、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。此外,STD2NB60T4采用TO-220封装,具有良好的散热性能。

参数

最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2.5A
  导通电阻(Rds(on)):1.6Ω
  栅极电荷(Qg):38nC
  输入电容(Ciss):1670pF
  开关速度:高速
  工作温度范围(Tj):-55℃至+150℃

特性

STD2NB60T4具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压:能够承受高达600V的漏源电压,适用于多种高压场景。
  2. 低导通电阻:1.6Ω的Rds(on)有效降低了传导损耗。
  3. 快速开关能力:得益于低栅极电荷和优化的内部结构,可实现高频操作。
  4. 热稳定性强:工作结温范围宽广,能够在极端温度条件下稳定运行。
  5. 小型化设计:TO-220封装兼顾了性能与紧凑性,适合空间受限的应用环境。
  6. 符合RoHS标准:环保且满足全球电子行业法规要求。

应用

STD2NB60T4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器及工业电源。
  2. 功率因数校正(PFC)电路:用于提高电力系统的效率。
  3. 电机控制:如直流无刷电机驱动器中的功率级组件。
  4. 电磁阀和继电器驱动:需要高耐压特性的应用场景。
  5. 负载切换:在电信设备或消费电子产品中用作负载开关。
  6. 逆变器:太阳能逆变器及其他类型的电力转换装置。

替代型号

STD2ND60DM2
  STD2ND60NM2
  IRF840

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STD2NB60T4参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压600 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流2.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)3.6 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间13 ns
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散50 W
  • 上升时间7 ns
  • 工厂包装数量2500