时间：2025/5/27 16:11:21
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STD2NB60T4是一种由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压MOSFET晶体管，属于STPOWER系列。该器件采用N沟道增强型结构，专为高频开关应用设计。其高击穿电压和低导通电阻的特性使其在功率转换、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。此外，STD2NB60T4采用TO-220封装，具有良好的散热性能。
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：2.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω
栅极电荷（Qg）：38nC
输入电容（Ciss）：1670pF
开关速度：高速
工作温度范围（Tj）：-55℃至+150℃
STD2NB60T4具备以下显著特性：
1. 高击穿电压：能够承受高达600V的漏源电压，适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻：1.6Ω的Rds(on)有效降低了传导损耗。
3. 快速开关能力：得益于低栅极电荷和优化的内部结构，可实现高频操作。
4. 热稳定性强：工作结温范围宽广，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 小型化设计：TO-220封装兼顾了性能与紧凑性，适合空间受限的应用环境。
6. 符合RoHS标准：环保且满足全球电子行业法规要求。
STD2NB60T4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器及工业电源。
2. 功率因数校正（PFC）电路：用于提高电力系统的效率。
3. 电机控制：如直流无刷电机驱动器中的功率级组件。
4. 电磁阀和继电器驱动：需要高耐压特性的应用场景。
5. 负载切换：在电信设备或消费电子产品中用作负载开关。
6. 逆变器：太阳能逆变器及其他类型的电力转换装置。
STD2ND60DM2
STD2ND60NM2
IRF840
