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GS1D 发布时间 时间:2025/7/8 21:17:55 查看 阅读:15

GS1D是一款高性能的CMOS图像传感器芯片,广泛应用于安防监控、工业视觉和消费类电子产品领域。该芯片采用先进的背照式(BSI)像素技术,能够提供出色的低光照性能和高动态范围成像能力。其设计支持多种分辨率和帧率配置,满足不同应用场景的需求。

参数

型号:GS1D
  工艺:CMOS
  像素类型:背照式(BSI)
  有效像素:200万像素
  感光元件尺寸:1/2.8英寸
  帧率:60fps(1080P分辨率下)
  供电电压:2.8V
  工作温度范围:-20℃至+85℃

特性

GS1D的主要特性包括卓越的低光照性能,能够在极弱光环境下捕捉清晰的图像。此外,该芯片支持高动态范围(HDR)成像技术,可同时处理场景中的亮区和暗区细节,确保图像质量的一致性。它还集成了数字输出接口,便于与后续处理单元连接。
  芯片内置了多种图像增强算法,例如降噪、色彩校正和锐化等,从而减少对外部处理器的依赖。其紧凑的设计使其非常适合嵌入小型化设备中。

应用

GS1D适用于多个领域的图像采集需求,包括但不限于高清网络摄像机、家用安防摄像头、无人机航拍设备、工业自动化检测系统以及医疗内窥镜等。由于其优秀的低光照能力和HDR性能,特别适合用于夜间监控或复杂光照条件下的视频捕捉任务。
  此外,这款芯片还可以用于智能门铃、可视对讲系统以及其他需要高质量图像输入的消费类产品中。

替代型号

AR0234CS, IMX290, OV2710

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GS1D参数

  • 现有数量0现货
  • 价格5,000 : ¥0.21659卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)2.5 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C