时间：2025/7/9 10:42:18
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IPD78CN10N是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-252封装形式。该器件专为开关电源、电机驱动、逆变器等高效率应用设计，具有低导通电阻和高切换速度的特点。其出色的热性能和电气特性使其非常适合用于紧凑型设计中，同时能够满足严格的能效标准。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：13nC
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252
IPD78CN10N具备低导通电阻和优化的开关性能，从而降低传导损耗和切换损耗。
它采用先进的工艺制造，确保了良好的一致性和可靠性。
其高雪崩击穿能力和坚固的结构使该器件能够在严苛的工作条件下稳定运行。
此外，IPD78CN10N支持快速开关操作，适合高频应用环境。
由于其散热性能优越，因此在高功率密度的设计中表现优异。
这款MOSFET广泛应用于各类高效能的功率转换场景，包括但不限于：
开关模式电源（SMPS）中的同步整流
直流电机驱动电路
太阳能逆变器及电池管理系统
消费电子设备的负载开关
工业自动化控制中的功率调节模块
