时间：2025/7/23 12:29:25
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STD26NF10 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种高功率应用场景。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：26A @ 25°C
导通电阻(Rds(on))：约0.045Ω @ Vgs=10V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220FP、D2PAK等
STD26NF10 具有低导通电阻，可减少导通损耗并提高效率。其高电流容量和低Rds(on)使其在高负载条件下表现出色。
该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了卓越的开关性能，适用于高频开关应用。
此外，其坚固的结构和良好的散热设计提高了器件的热稳定性和长期可靠性。
该器件还具备优良的抗雪崩能力，能够在高能脉冲条件下稳定工作。
多种封装选项（如TO-220FP和D2PAK）使其适用于不同的PCB布局和散热需求。
STD26NF10 常用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、开关电源（SMPS）和电池充电器等应用。
由于其高电流容量和低导通电阻，它也适用于高功率负载开关和电源分配系统。
在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中，该器件广泛用于功率控制和能量转换。
此外，该MOSFET也可用于逆变器、UPS系统和光伏逆变器等新能源应用中。
IRF1405, FDP26N10, STP26NF10
