您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMBT4401-7-F

MMBT4401-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 3:41:38 查看 阅读:19

MMBT4401-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23(SC-59)小型封装,广泛用于便携式电子设备中的信号放大与开关应用。该器件基于先进的工艺技术制造,具有优异的电气性能和高可靠性,适用于在紧凑空间内实现高效电路设计。MMBT4401-7-F是通用型晶体管,常用于电源管理、逻辑缓冲、LED驱动、DC-DC转换器以及各类低功率模拟和数字电路中。其小尺寸封装使其非常适合自动化表面贴装生产线,支持高密度PCB布局。该晶体管符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其良好的增益表现和频率响应,MMBT4401-7-F在消费类电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用。

参数

类型:NPN BJT
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):600mA
  功耗(Pd):300mW
  直流电流增益(hFE):100 @ IC=10mA, VCE=1V
  过渡频率(fT):250MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装:SOT-23 (SC-59)
  极性:NPN
  最大漏电流(ICEO):500nA @ VCE=40V
  饱和电压(VCE(sat)):300mV @ IC=150mA, IB=15mA

特性

MMBT4401-7-F具备出色的直流电流增益特性,典型值在100至300之间,具体取决于工作电流条件。这一高增益特性使其能够在微弱信号输入时实现有效的放大作用,适用于前置放大器、传感器信号调理等对增益敏感的应用场景。器件的增益带宽积表现出色,结合高达250MHz的过渡频率,使得它不仅适用于低频开关操作,也能胜任中高频信号处理任务。其快速的开关响应能力得益于较低的寄生电容和优化的内部结构设计,在数字逻辑接口和脉冲调制电路中可提供稳定可靠的性能。
  该晶体管采用SOT-23小型化封装,体积小巧,便于在高密度印刷电路板上进行布局,尤其适合空间受限的便携式设备如智能手机、可穿戴装置和平板电脑。热阻抗较低,能够有效散发工作过程中产生的热量,从而提升长期运行稳定性。此外,MMBT4401-7-F具有良好的温度稳定性,即使在极端环境温度下仍能保持一致的电气特性,适用于宽温域工作的工业级和汽车级系统。
  器件的最大集电极电流为600mA,允许其驱动中等负载,例如小型继电器、LED阵列或音频输出级。同时,其集电极-发射极击穿电压为40V,提供了足够的安全裕度以应对瞬态电压波动。内置的基区设计增强了器件的抗饱和能力,有助于减少存储时间并提高开关速度。整体来看,MMBT4401-7-F在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是一款性价比极高的通用型晶体管解决方案,特别适合批量生产中的成本控制与高效组装需求。

应用

MMBT4401-7-F被广泛应用于多种电子系统中,尤其是在需要小型化和高性能晶体管的场合。常见用途包括但不限于:作为开关元件用于电源启停控制、LED驱动电路中的通断调节、继电器或蜂鸣器的驱动级、电池供电设备中的节能开关模块。在模拟电路中,它可用于构建共射极放大器、差分对输入级或有源负载配置,适用于音频前置放大、传感器信号增强等应用。此外,该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中的反馈控制回路,配合PWM控制器实现精确稳压。在数字系统中,MMBT4401-7-F可用作电平转换器或逻辑缓冲器,将微控制器输出信号适配至更高电压或电流负载。其高频率响应能力还使其适用于射频前端模块中的小信号放大或检波电路。由于其符合汽车电子可靠性标准,该器件也被用于车载信息娱乐系统、车内照明控制单元及远程无钥匙进入系统的信号处理部分。总体而言,无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,MMBT4401-7-F都展现出广泛的适用性和高度的设计灵活性。

替代型号

MMBT4401, MMBT4401DW, BC848BP, FMMT4401, PBSS4401

MMBT4401-7-F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMBT4401-7-F资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMBT4401-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA,1V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换250MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT4401-FDITR