时间：2025/5/8 9:46:03
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NTGS3441T1H 是一款 N 沃半导体（ON Semiconductor）生产的高性能 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电源管理、负载开关、电机驱动以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该芯片的封装形式为 TO-263（D2PAK），便于表面贴装，并且具备良好的散热性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：-59A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：1350pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-263
NTGS3441T1H 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速的开关性能，能够满足高频应用的需求。
3. 高度稳定的电气特性，在各种工作条件下表现优异。
4. 强大的电流承载能力，确保在高负载情况下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
NTGS3441T1H 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 工业设备及消费电子产品的负载开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的电源管理和控制。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 电池保护和能量管理系统中的关键组件。
NTGS3440T1G
