类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：700V
　　最大漏极电流（Id）：1.5A（连续）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约3V至5V
　　最大栅极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　封装类型：PowerSSO-10

STD1NC70Z-1具备多项高性能特性，适用于高要求的电源管理应用。其高耐压能力（700V Vds）使其适用于高压电源转换系统，如开关电源、DC-AC逆变器和电机驱动器。该器件的导通电阻较低（典型值为1.2Ω），有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，支持高功耗操作，并能在恶劣环境下保持稳定运行。其栅极阈值电压范围适中（3V至5V），兼容多种驱动电路，便于集成到不同的控制方案中。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在高压开关应用中的可靠性。
　　该MOSFET采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，其封装形式支持通孔安装，确保了在工业环境中的机械稳定性和长期可靠性。由于其优异的电气性能和坚固的封装设计，STD1NC70Z-1非常适合用于需要高可靠性和高性能的电力电子系统。

该MOSFET广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关元件，用于高效转换和调节电能。在电机控制电路中，该器件可用于PWM控制和电流切换，实现对电机转速和扭矩的精确控制。此外，它也适用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关和隔离电路。由于其高压和高可靠性特性，该器件也常用于家电（如变频空调、洗衣机）中的功率控制模块。

STP1NK70ZFP STW1NK70Z STP1NC70Z STP1N90Z