KM62256BLTG-7L 时间：2025/11/12 13:50:05 阅读：9

KM62256BLTG-7L是一款由韩国三星（Samsung）公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为32K x 8位，即总容量为262,144位。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高性能的特点，适用于需要快速数据存取和可靠存储的各种电子系统。KM62256BLTG-7L的工作电压范围通常为4.5V至5.5V，兼容标准的TTL电平接口，便于与多种微处理器、微控制器和其他数字逻辑电路直接连接。该器件封装形式为SOP-28或TSOP-II-28，体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品以及嵌入式系统中。
　　这款SRAM支持异步读写操作，访问时间典型值为70纳秒（ns），部分版本可达55ns或更优，具体取决于后缀标识。其内部结构组织为32,768个地址单元，每个单元存储8位数据，具备全静态操作特性，无需刷新电路即可保持数据稳定，简化了系统设计。此外，KM62256BLTG-7L集成了片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，支持多种省电模式，例如当片选信号无效时自动进入低功耗待机状态，显著降低空闲期间的能耗。这种灵活性使其成为电池供电设备或对能效有较高要求的应用场景的理想选择。

参数

类型：CMOS SRAM
　　密度：32K x 8位
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：70ns（典型值）
　　封装形式：TSOP-II-28
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　输入电平：TTL兼容
　　电源电流（最大）：约35mA（工作模式），10μA（待机模式）
　　数据保持电压：≥2.0V
　　写保护功能：支持通过控制WE和CE实现写入保护
　　封装引脚数：28
　　存储容量：262,144位

特性

KM62256BLTG-7L采用高性能CMOS工艺制造，确保在高速运行的同时维持极低的功耗水平，尤其在待机状态下电流消耗可降至微安级别，非常适合用于便携式设备或长时间运行的工业控制系统。其70ns的访问时间保证了快速的数据响应能力，能够满足大多数中高端微处理器系统的实时数据交换需求。该芯片具备完整的静态操作特性，意味着只要供电正常，无需任何时钟或刷新信号即可永久保存数据，极大简化了外围电路设计，并提升了系统稳定性。
　　器件内置多重控制逻辑，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三个独立控制引脚，允许系统精确控制读写操作时序，并可在多设备共享总线环境中实现有效的地址译码与冲突避免。当CE为高电平时，器件进入低功耗待机模式，此时Icc电流大幅下降，但数据仍得以保留，从而实现节能与数据安全的平衡。此外，该SRAM支持字节级写操作，允许单独修改任意地址上的8位数据，提高了存储效率和灵活性。
　　TTL电平兼容性使得KM62256BLTG-7L可以直接与广泛的微控制器、DSP和FPGA等数字器件接口，无需额外的电平转换电路，降低了整体系统成本和复杂度。其TSOP-II-28小型化封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能和抗干扰能力，适用于紧凑型电子产品设计。同时，该器件经过严格的可靠性测试，具备较强的抗静电（ESD）能力和环境适应性，能够在较宽的温度和湿度范围内稳定工作，确保长期使用的可靠性。

应用

KM62256BLTG-7L因其高速、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多种电子系统中。常见用途包括作为微控制器或微处理器系统的外部数据缓存，用于临时存储运行中的程序变量、传感器采集数据或通信缓冲信息。在工业自动化领域，它常用于PLC控制器、人机界面（HMI）设备和数据采集系统中，提供稳定的本地存储支持。在网络与通信设备如路由器、交换机和调制解调器中，该SRAM可用于帧缓冲、协议处理中间数据存储等功能。
　　在消费类电子产品方面，KM62256BLTG-7L也常见于打印机、扫描仪、智能仪表、医疗监测设备以及游戏机等设备中，承担图像缓存、配置参数存储或实时数据暂存任务。由于其支持低功耗模式，在电池供电的便携式仪器或远程监控终端中同样具有重要价值。此外，在嵌入式开发板和原型验证系统中，该芯片常被用作通用扩展RAM模块，帮助开发者提升系统内存容量以支持更复杂的算法运行。其成熟的技术方案和稳定的供货历史也使其成为许多长期生产项目的首选SRAM型号之一。