时间：2025/6/4 3:14:33
阅读：7
STD17NF03LT4 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能开关应用。
这款 MOSFET 的最大特点是其较低的 Rds(on)，能够在高频开关条件下保持高效率，并且支持较宽的工作电压范围，使其成为众多电力电子设计的理想选择。
型号：STD17NF03LT4
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.7mΩ
Id（连续漏极电流）：17A
Bvdss（击穿电压）：30V
栅极电荷（Qg）：15nC
总功耗：10W
封装形式：TO-263/D2PAK
STD17NF03LT4 提供了出色的电气性能，包括超低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。其优化的沟槽技术显著降低了开关损耗，并允许在较高的工作频率下运行。
同时，它还具备强大的热性能表现，能够通过更小的封装提供更高的功率密度。
主要特性包括：
- 超低导通电阻 (1.7mΩ 典型值)
- 高额定电流 (17A 连续)
- 快速开关速度，适合高频应用
- 紧凑型 TO-263/D2PAK 封装
- 优异的雪崩能力
- 符合 RoHS 标准
- 支持表面贴装工艺
STD17NF03LT4 广泛应用于需要高效能功率管理的场景，例如：
- 开关电源 (SMPS)
- 直流电机驱动
- 工业控制与自动化设备
- 电信设备中的 DC/DC 转换器
- 电池供电系统中的负载切换
- 太阳能逆变器
- 电动工具和家用电器中的功率转换模块
IRLZ44N
STP17NF06L
FDP17N6C
AO3400
