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STD17NF03LT4 发布时间 时间:2025/6/4 3:14:33 查看 阅读:7

STD17NF03LT4 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能开关应用。
  这款 MOSFET 的最大特点是其较低的 Rds(on),能够在高频开关条件下保持高效率,并且支持较宽的工作电压范围,使其成为众多电力电子设计的理想选择。

参数

型号:STD17NF03LT4
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):1.7mΩ
  Id(连续漏极电流):17A
  Bvdss(击穿电压):30V
  栅极电荷(Qg):15nC
  总功耗:10W
  封装形式:TO-263/D2PAK

特性

STD17NF03LT4 提供了出色的电气性能,包括超低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。其优化的沟槽技术显著降低了开关损耗,并允许在较高的工作频率下运行。
  同时,它还具备强大的热性能表现,能够通过更小的封装提供更高的功率密度。
  主要特性包括:
  - 超低导通电阻 (1.7mΩ 典型值)
  - 高额定电流 (17A 连续)
  - 快速开关速度,适合高频应用
  - 紧凑型 TO-263/D2PAK 封装
  - 优异的雪崩能力
  - 符合 RoHS 标准
  - 支持表面贴装工艺

应用

STD17NF03LT4 广泛应用于需要高效能功率管理的场景,例如:
  - 开关电源 (SMPS)
  - 直流电机驱动
  - 工业控制与自动化设备
  - 电信设备中的 DC/DC 转换器
  - 电池供电系统中的负载切换
  - 太阳能逆变器
  - 电动工具和家用电器中的功率转换模块

替代型号

IRLZ44N
  STP17NF06L
  FDP17N6C
  AO3400

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STD17NF03LT4参数

  • 其它有关文件STD17NF03L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds320pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3155-6