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STD16NF06T4 发布时间 时间:2025/6/3 10:46:08 查看 阅读:10

STD16NF06T4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-220 FullPAK,适合于需要高效能和散热性能良好的场合。
  STD16NF06T4 的最大工作电压为 60V,连续漏极电流可达 16A,非常适合用于直流电机驱动、负载开关、降压转换器以及其他功率管理电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  开关时间:ton=19ns, toff=27ns
  功耗:115W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STD16NF06T4 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少功率损耗,提高效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 较低的输入和输出电容,降低了开关过程中的能量损耗。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 封装设计支持高效的热管理和机械稳定性。

应用

STD16NF06T4 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  5. LED 驱动和照明系统。
  6. 汽车电子中的辅助功率电路。
  其高效率和可靠性使得它成为许多现代电子产品的理想选择。

替代型号

STD16NF06L, IRFZ44N, FDP16N06

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STD16NF06T4参数

  • 其它有关文件STD16NF06 View All Specifications
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)