STD155N3LH6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沒尔场效应晶体管(NMOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该 MOSFET 专为高效能需求设计,能够显著降低功率损耗,并提供优异的热性能。此外,其封装形式适合表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):155A
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
总电容(Ciss):2250pF
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装形式:STPAK
STD155N3LH6 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(2.8mΩ),可有效降低传导损耗。
2. 高额定电流(155A),适合高功率应用。
3. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 封装形式 STPAK 提供优秀的散热能力和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
7. 内置反并联二极管,优化续流能力,适用于电机驱动等场景。
STD155N3LH6 广泛应用于以下领域:
1. 工业电机驱动和控制。
2. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
3. 电动车辆(EV/HEV)的电池管理系统(BMS)和逆变器。
4. 太阳能逆变器及储能系统。
5. LED 照明驱动电路。
6. 通用 DC-DC 转换器和其他需要高效功率开关的应用。
STD150N3LH6
IRLB8748PBF
IXTH14N30P2
FDP158N
SUP75P03-08E