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STD155N3LH6 发布时间 时间:2025/6/28 23:23:50 查看 阅读:5

STD155N3LH6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沒尔场效应晶体管(NMOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  该 MOSFET 专为高效能需求设计,能够显著降低功率损耗,并提供优异的热性能。此外,其封装形式适合表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型设计。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):155A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  总电容(Ciss):2250pF
  工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:STPAK

特性

STD155N3LH6 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(2.8mΩ),可有效降低传导损耗。
  2. 高额定电流(155A),适合高功率应用。
  3. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠运行。
  5. 封装形式 STPAK 提供优秀的散热能力和机械强度。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  7. 内置反并联二极管,优化续流能力,适用于电机驱动等场景。

应用

STD155N3LH6 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电机驱动和控制。
  2. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  3. 电动车辆(EV/HEV)的电池管理系统(BMS)和逆变器。
  4. 太阳能逆变器及储能系统。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 通用 DC-DC 转换器和其他需要高效功率开关的应用。

替代型号

STD150N3LH6
  IRLB8748PBF
  IXTH14N30P2
  FDP158N
  SUP75P03-08E

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STD155N3LH6参数

  • 其它有关文件STD155N3LH6 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs80nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3800pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-11308-6