时间：2025/5/23 18:05:18
阅读：3
MMBZ20VALT1G 是一款来自 ON Semiconductor 的小型表面贴装肖特基势垒二极管。它采用 SOD-123 封装，具有低正向电压降和快速开关速度的特点，适用于高效能的电源转换和保护电路。
该二极管主要用于便携式设备、电源管理模块、逆变器以及电池供电系统等应用中，其小尺寸和高效率使得它非常适合空间受限的设计。
最大正向电流：0.2A
峰值反向电压：20V
正向电压：0.36V（@ 150mA）
反向恢复时间：小于10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOD-123
功耗：300mW
MMBZ20VALT1G 提供了卓越的性能和可靠性。其低正向电压降有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
此外，该器件具有非常短的反向恢复时间，使其在高频开关应用中表现优异。由于采用了坚固的 SOD-123 封装，它能够承受较高的结温和机械应力，从而确保长期稳定运行。
同时，这款二极管符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适合现代环保设计需求。
该二极管广泛应用于各种电子设备中，例如：
- 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的续流二极管
- 便携式电子产品中的电池保护和充电管理
- 反极性保护电路
- 高频信号整流
- 太阳能微逆变器和其他能量收集系统中的关键组件
MBR2020CTA, MMSZ2024BT1G
