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STD12NF06LT4 发布时间 时间:2025/6/27 10:51:59 查看 阅读:4

STD12NF06LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沀道尔 (N-Channel) 功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-220FP 封装形式,适用于开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动以及各种功率控制电路等应用。其额定电压为 60V,连续漏极电流可达 12A,具有低导通电阻和高效率的特性,广泛用于工业及消费类电子领域。
  该 MOSFET 提供了出色的开关性能和热稳定性,适合需要高效功率转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  栅极电荷:35nC
  导通电阻:8mΩ
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STD12NF06LT4 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输入电容,确保在高频应用中表现优异。
  3. 增强的热性能设计,支持更高的功率密度和可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  5. 内部集成保护功能(部分版本),如过流保护和热关断机制,进一步提升了器件的鲁棒性。

应用

STD12NF06LT4 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 各种负载切换和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 消费类电子产品中的电池充电管理电路。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF06L
  FDP12N6S
  BUK9N06-12E

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STD12NF06LT4参数

  • 其它有关文件STD12NF06L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-2487-6