STD12NF06LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沀道尔 (N-Channel) 功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-220FP 封装形式,适用于开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动以及各种功率控制电路等应用。其额定电压为 60V,连续漏极电流可达 12A,具有低导通电阻和高效率的特性,广泛用于工业及消费类电子领域。
该 MOSFET 提供了出色的开关性能和热稳定性,适合需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:12A
栅极电荷:35nC
导通电阻:8mΩ
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220FP
STD12NF06LT4 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷和输入电容,确保在高频应用中表现优异。
3. 增强的热性能设计,支持更高的功率密度和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
5. 内部集成保护功能(部分版本),如过流保护和热关断机制,进一步提升了器件的鲁棒性。
STD12NF06LT4 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路,包括无刷直流电机(BLDC)控制器。
3. 各种负载切换和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用。
IRFZ44N
STP12NF06L
FDP12N6S
BUK9N06-12E