STD12N10L是一种由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh?技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适合于需要高效能和低损耗的应用场景,例如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及电池充电器等。STD12N10L的封装形式为TO-220FP,适用于表面贴装或通孔安装。
最大漏源电压Vds:100V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:12A
导通电阻Rds(on):75mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:146W
结温范围Tj:-55°C至+175°C
热阻Rth(j-c):2°C/W
STD12N10L采用了MDmesh?技术,显著降低了导通电阻和栅极电荷,从而提高了效率并减少了开关损耗。
其100V的耐压值使其能够承受较高的漏源电压,而12A的额定电流则满足了中高功率应用的需求。
该器件具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的性能。
较低的输入和输出电容进一步提升了开关速度,同时减少了电磁干扰(EMI)。
STD12N10L还具备雪崩能力,能够在发生短路或过载时提供一定的保护功能。
该器件广泛应用于各类电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
5. 各种工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
IRFZ44N
STP12NF06
FDP5802
AO3400