类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：18A
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：6.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 mm

STD03N-Y MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。
　　其低导通电阻特性使得该器件能够在高负载条件下依然保持较低的温升，增强了系统的可靠性和寿命。
　　此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和抗过载能力，能够承受瞬态高电流和高温环境的影响，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
　　STD03N-Y采用PowerFLAT 5x6 mm无引脚封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局设计，并且符合RoHS环保标准。
　　该器件还内置了快速恢复二极管，提升了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用。
　　

STD03N-Y广泛应用于各类高性能电源管理系统中，包括同步整流DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、电动工具和无人机的动力控制系统、服务器和通信设备的电源模块等。
　　由于其优异的电气性能和热管理能力，它也常用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及新能源汽车中的功率变换装置中。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和高性能游戏主机中，该MOSFET也被用于优化电源管理和提高能效比。
　　同时，因其出色的可靠性和小尺寸封装，它也适用于便携式医疗设备和工业自动化控制系统等领域。

STMZ4N-Y, STD04N-Y