STC813LESA 时间：2025/6/20 23:54:53 阅读：3

STC813LESA是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管。该器件属于STripFET技术系列，采用N沟道增强型设计，适用于高频开关应用和高效能功率转换场景。
　　其封装形式为TO-220FP，能够承受较高的电压和电流，具有低导通电阻的特性，有助于降低功耗并提高系统效率。这种类型的MOSFET通常被应用于开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等领域。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：13A
　　导通电阻（典型值）：1.9Ω
　　栅极电荷（典型值）：37nC
　　总功耗：160W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

STC813LESA的主要特点是采用了先进的STripFET技术，该技术显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了整体效率。
　　其高击穿电压使其非常适合高压应用场景，而较低的导通电阻则减少了传导损耗。
　　此外，该器件具备快速开关能力，支持高频操作，并且具有良好的热稳定性，可以适应恶劣的工作环境。
　　在动态性能方面，其低栅极电荷和输入电容使得驱动更加简单，同时优化了开关速度和能耗平衡。
　　由于其出色的电气特性和机械可靠性，STC813LESA成为了工业及汽车电子领域中的理想选择。

应用

STC813LESA广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下应用：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 逆变器
　　4. 电机驱动电路
　　5. 工业自动化设备
　　6. 汽车电子系统中的负载切换
　　7. 高效能照明解决方案
　　其强大的电流处理能力和耐压等级使它成为需要可靠功率控制的应用的理想组件。