工作频率：410 MHz
　　输出功率：100 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：65%（典型值，漏极效率）
　　电源电压：+28 V
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMD），64引脚塑料封装

RF7170PCK-410 采用 GaN 技术，这使其在高频应用中具备卓越的性能表现。GaN 材料具有高电子迁移率和高击穿电压的特点，使得该功率放大器能够在较高的电压和功率水平下运行，同时保持较低的热损耗和较高的能效。这种高效的特性对于需要长时间稳定工作的无线通信系统尤为重要。
　　此外，RF7170PCK-410 具有良好的热管理和散热设计，内置的热保护机制可防止因过热而导致的器件损坏。其封装设计优化了射频信号的传输路径，减少了寄生效应和信号损耗，从而提升了整体系统的稳定性与可靠性。
　　该模块还具备良好的线性度，能够满足现代通信系统对高数据速率和低失真的要求。在蜂窝基站和点对点微波通信中，这种高线性度有助于减少信号干扰，提高频谱利用率。同时，其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛的工业环境，包括户外设备和车载通信系统。

RF7170PCK-410 主要应用于无线通信基础设施，包括4G/5G蜂窝基站、微波回传系统、无线接入网络（WAN）设备等。其高输出功率和优良的线性性能使其成为远程无线电头端（RRH）和分布式天线系统（DAS）中的理想选择。
　　此外，该器件还可用于军事和航空航天领域的雷达系统、电子战设备以及卫星通信终端。在这些高要求的应用中，RF7170PCK-410 的高可靠性和稳定性能够确保系统在极端条件下正常运行。
　　在工业和医疗设备中，该功率放大器可用于射频能量传输、射频加热控制以及射频测试设备。例如，在射频加热系统中，RF7170PCK-410 可以提供稳定的射频能量输出，确保加热过程的精确控制。

HMC8205BF10, Cree CGH40010F, NXP MRFE6VP61K25H