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STC6NF30V 发布时间 时间:2025/7/22 7:59:31 查看 阅读:11

STC6NF30V是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中,例如电源转换器、电机驱动器、开关电源(SMPS)和电池管理系统等。该器件采用先进的平面条形沟槽栅技术,提供了优异的导通电阻(Rds(on))和开关性能,同时具备高耐压和高电流能力。STC6NF30V的封装形式通常为TO-220或D2PAK,适合需要高可靠性和高效能的工业和汽车应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  导通电阻(Rds(on)):约0.15Ω(典型值)
  功耗(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK

特性

STC6NF30V具备一系列优异的电气和物理特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下较低的导通损耗,从而提高系统效率并减少热量产生。这使得该器件特别适合用于高频率开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。
  其次,STC6NF30V具有较高的耐压能力,其漏源击穿电压(Vds)为30V,能够承受较高的电压应力,适用于中低压电源管理电路。此外,该器件的栅源电压(Vgs)范围为±20V,允许使用较高的驱动电压以加快开关速度,同时具备良好的抗过压能力。
  STC6NF30V还具有优异的热稳定性和耐用性,能够在恶劣的环境条件下正常工作。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应广泛的应用环境,包括高温工业设备和汽车电子系统。封装形式包括TO-220和D2PAK,提供了良好的散热性能,确保在高功率负载下仍能保持稳定运行。
  此外,STC6NF30V在开关性能方面表现出色,具备较低的开关损耗和快速的上升/下降时间,适用于高频开关电路。这种特性使其成为电机驱动、电源管理和负载开关应用的理想选择。

应用

STC6NF30V广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. **开关电源(SMPS)**:用于AC/DC和DC/DC转换器中,提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
  2. **电机驱动**:适用于直流电机控制和H桥驱动电路,提供高电流能力和快速开关性能。
  3. **电池管理系统(BMS)**:用于电池充放电控制和保护电路,确保电池的安全运行。
  4. **工业自动化**:用于PLC、继电器驱动和负载开关电路中,提供高可靠性和高效的电能控制。
  5. **消费类电子产品**:用于电源管理模块、LED驱动器和便携式设备中,满足对高效率和小尺寸的需求。
  6. **汽车电子**:适用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)和车载充电器(OBC)等应用,提供高可靠性和耐高温能力。

替代型号

IRFZ44N, STP6NF30V, FDP6N30V

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STC6NF30V产品

STC6NF30V参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列STripFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 2.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3152-6