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IRF540 发布时间 时间:2025/3/25 14:11:10 查看 阅读:4

IRF540是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率电子电路中。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,能够满足多种功率转换应用的需求。
  IRF540采用TO-220封装形式,便于散热和安装,适合在高温环境下工作。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:33A
  导通电阻:0.087Ω
  总功耗:190W
  结温范围:-55℃至+175℃
  栅极电荷:65nC
  反向恢复时间:10ns

特性

IRF540的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。首先,它具备较低的导通电阻,这使得在大电流应用中产生的热量较少,提高了整体效率。其次,其快速的开关速度有助于减少开关损耗,并允许在高频下运行。此外,IRF540还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,能够在瞬态条件下可靠工作。
  另外,该器件的高击穿电压和较大的漏极电流范围使其适用于广泛的功率水平,无论是中小功率还是更高功率的应用都能胜任。

应用

1. 开关电源中的功率开关
  2. 电机驱动电路中的功率放大器
  3. 逆变器设计中的关键元件
  4. 脉宽调制(PWM)控制器中的驱动元件
  5. 各种工业控制设备中的功率级组件
  由于其出色的性能,IRF540成为许多功率电子工程师的首选器件之一。

替代型号

IRFZ44N, STP16NF06, FDP156AN

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IRF540参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF540IRF540IR