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HM62V16258CLTTI-7 发布时间 时间:2025/9/6 18:08:34 查看 阅读:5

HM62V16258CLTTI-7 是由Hitachi(现为Renesas)制造的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16Mbit(2MB),组织形式为1M x 16。该器件适用于需要高速存储和低功耗设计的系统,如网络设备、工业控制、嵌入式系统和通信设备等。这款SRAM采用CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗特性,适合各种高性能存储应用。

参数

容量:16Mbit (1M x 16)
  数据宽度:16位
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大工作频率:约143MHz
  待机电流:典型值为10mA
  封装尺寸:约8mm x 14mm

特性

HM62V16258CLTTI-7 的核心特性包括其高速访问时间(7ns),这使其适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片支持异步操作,具备低待机电流,有助于在低功耗模式下节省能源。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境下的稳定运行。芯片采用TSOP封装,有助于减小PCB空间占用并提高散热性能。CMOS技术的使用不仅提高了器件的稳定性,还降低了功耗。
  此外,该SRAM支持双向数据总线,能够灵活地与各种主控芯片接口连接,支持高频率操作,适应高速数据传输需求。同时,该芯片具备良好的抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。

应用

该芯片广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合,例如网络交换机、路由器、工业自动化设备、嵌入式系统、测试仪器以及通信设备等。此外,它也可用于需要大容量SRAM支持的图像处理、数据缓冲和实时控制等应用场景。

替代型号

IS61LV16258AL7TF-I/IS64LV16258AL7TF-I,CY7C16258V-7ZSXC,IDT71V16258SA-7TFI

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