时间：2025/12/24 19:53:21
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STB85NF55LT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的应用场合。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器以及电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电压（VDSS）：55V
最大漏极电流（ID）：80A（在25°C）
导通电阻（RDS(ON)）：小于8.5mΩ（在VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
STB85NF55LT4的主要特性包括其低导通电阻，这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其增强型设计确保了器件在零栅极电压下处于关闭状态，从而避免了意外导通的风险。该器件还具有良好的短路耐受能力，使其在高应力条件下仍能保持稳定运行。
STB85NF55LT4采用先进的制造工艺，确保了器件的高可靠性和长寿命。它支持快速开关操作，有助于减少开关损耗并提高整体系统性能。此外，该MOSFET的封装设计优化了热管理和电气性能，适用于高密度功率应用。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的设计中使用。
STB85NF55LT4常用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适用于需要高效能功率管理的应用场合。此外，该MOSFET还可用于负载开关、电源分配系统以及能量存储设备中，以实现高效、可靠的功率控制。
STP85NF55LT4, IRF1405, FDP85N55
