时间：2025/6/4 3:13:22
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STB80NF55L-06 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术，具备低导通电阻和高电流处理能力的特点，适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场合。
这款MOSFET的最大漏源电压为55V，连续漏极电流可达80A，具有出色的热性能和电气性能，同时封装形式为TO-220，便于散热设计和安装。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总功耗：150W
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
STB80NF55L-06采用MDmesh DMIII技术，实现了较低的导通电阻与良好的电荷平衡。
其具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，能够承受瞬态电压冲击。
此外，它拥有快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升效率。
器件在高温下的稳定性良好，适合要求严格的工业应用环境。
由于其低导通电阻和大电流承载能力，特别适合用作高效能功率转换电路中的开关元件。
STB80NF55L-06广泛应用于各种功率电子领域，例如：
开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器和充电器。
DC-DC转换器，用于汽车电子、通信设备及消费类电子产品中。
电池管理系统中的负载开关或保护电路。
电机驱动器，如步进电机、无刷直流电机控制电路。
续流二极管功能，在反激式变换器或其他拓扑结构中替代传统肖特基二极管。
STB80NF50L-06, IRF840, FDP18N50C
