STB80NF55L-06 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术,具备低导通电阻和高电流处理能力的特点,适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场合。
这款MOSFET的最大漏源电压为55V,连续漏极电流可达80A,具有出色的热性能和电气性能,同时封装形式为TO-220,便于散热设计和安装。
最大漏源电压:55V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:80A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总功耗:150W
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
STB80NF55L-06采用MDmesh DMIII技术,实现了较低的导通电阻与良好的电荷平衡。
其具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性,能够承受瞬态电压冲击。
此外,它拥有快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升效率。
器件在高温下的稳定性良好,适合要求严格的工业应用环境。
由于其低导通电阻和大电流承载能力,特别适合用作高效能功率转换电路中的开关元件。
STB80NF55L-06广泛应用于各种功率电子领域,例如:
开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备及消费类电子产品中。
电池管理系统中的负载开关或保护电路。
电机驱动器,如步进电机、无刷直流电机控制电路。
续流二极管功能,在反激式变换器或其他拓扑结构中替代传统肖特基二极管。
STB80NF50L-06, IRF840, FDP18N50C