H5TQ2G83BFR 时间：2025/9/2 8:49:42 阅读：8

H5TQ2G83BFR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式低功耗DRAM（LPDRAM）类型。该芯片广泛用于移动设备、嵌入式系统以及需要高性能和低功耗内存的电子产品中。H5TQ2G83BFR 具有256MB的存储容量，采用x8位宽接口，工作电压为1.8V，适用于多种便携式设备。

参数

容量：256MB
　　组织结构：x8位宽
　　电压：1.8V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　接口类型：CMOS
　　时钟频率：166MHz
　　工作温度范围：-40°C至85°C

特性

H5TQ2G83BFR 具备多项关键特性，使其在移动设备和嵌入式系统中表现出色。首先，其低功耗设计有助于延长电池寿命，这对于移动设备来说至关重要。该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新和深度掉电模式，从而在设备处于待机或低活动状态时减少能耗。
　　其次，H5TQ2G83BFR 使用CMOS接口技术，确保了稳定的信号传输和较高的数据完整性。其高速操作频率（166MHz）使得数据存取速度更快，满足了现代设备对性能的需求。
　　此外，H5TQ2G83BFR 采用54-ball FBGA封装，具有较小的物理尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的设计。该封装方式也有助于提高PCB布局的灵活性和整体系统的可靠性。
　　最后，该芯片的工作温度范围为-40°C至85°C，适用于各种恶劣环境条件，确保在不同应用场景下的稳定运行。

应用

H5TQ2G83BFR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的便携式电子设备。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网（IoT）设备中，作为主内存或缓存使用。此外，该芯片也适用于嵌入式系统，如工业控制设备、车载导航系统和消费类电子产品。由于其宽工作温度范围和高可靠性，H5TQ2G83BFR 也适合用于环境较为严苛的工业和汽车应用。