时间：2025/7/23 6:00:27
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STB80NF5508T4 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装形式，适用于高电流、高效率的电源管理和功率转换应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
STB80NF5508T4 是一款专为高性能功率管理设计的N沟道MOSFET，具备出色的导通性能和热稳定性。该器件的导通电阻极低，典型值仅为8mΩ，这使其在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。此外，其80A的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。
这款MOSFET采用了先进的Power MOSFET技术，具有优异的开关性能和热阻特性，能够在高温环境下稳定运行。其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，适用于工业级和汽车电子应用。
STB80NF5508T4 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，使其兼容多种驱动电路设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
STB80NF5508T4 主要应用于高功率电源转换系统，如同步整流器、DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统、电机控制器和工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和启停系统。
STP80NF55T4, FDP80N55, IRF1407
