时间：2025/6/18 21:36:40
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STB80NF55-06是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于功率转换、电机驱动、开关电源等领域。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，能够满足高性能功率管理需求。
最大漏极电流：80A
最大漏源电压：55V
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：95nC
功耗：370W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
STB80NF55-06具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
其封装形式具备良好的散热性能，适合大功率应用环境。
器件能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境下的工业及汽车领域。
快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
通过优化设计，该器件可有效降低电磁干扰（EMI），提升系统的整体稳定性。
STB80NF55-06常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器与电机控制
3. 电池管理系统（BMS）
4. 工业自动化设备中的功率开关
5. 电动车及混合动力汽车的电子系统
6. LED驱动器及其他需要高效功率转换的应用
STB80NF55HFD, STB80NF55L
